Ag遷移致集成電路輸出異常失效分析
1.案例背景
2.分析方法簡述
表1.開封后的NG樣品內(nèi)部EDS測試結(jié)果(Wt%)
3.結(jié)論
IC內(nèi)部存在分層,由于水汽的入侵,加上集成電路各引腳之間存在電位差,導(dǎo)致了引腳間的銀遷移,從而在引腳間形成微導(dǎo)通電路,致IC輸出異常。
4.參考標(biāo)準(zhǔn)
GJB 548B-2005 微電子器件失效分析程序-方法5003。
IPC-TM-650 2.1.1-2004手動微切片法。
GB/T 17359-2012 電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析通則。
作者簡介:
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