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OSP焊盤上錫不良失效分析

2022-09-19  瀏覽量:2143

 

引言

 

OSP表面處理工藝具有控制簡單、成本低廉、表面平整等優(yōu)點,越來越廣泛應(yīng)用于PCB生產(chǎn)制造中。然而,在實際生產(chǎn)過程中,工藝不良、產(chǎn)品儲存或使用不當(dāng)?shù)榷既菀讓?dǎo)致OSP板出現(xiàn)表面變色、膜厚不均勻、焊盤上錫不良、虛焊及焊錫不飽滿等問題。

 

本文以O(shè)SP焊盤上錫不良為例,分析其失效原因與機(jī)理,并提出改善建議。

 

一、案例背景

 

OSP 焊盤過兩次爐溫后,波峰焊出現(xiàn)嚴(yán)重的上錫不良。降低爐溫后,無可焊性問題?,F(xiàn)進(jìn)行測試分析,查找OSP焊盤上錫不良的原因。

 

二、分析過程

 

1. 外觀檢查

利用體視顯微鏡對上錫不良波峰焊點進(jìn)行光學(xué)檢查。多數(shù)波峰焊點孔環(huán)表面存在明顯上錫不良現(xiàn)象,呈現(xiàn)退潤濕及不潤濕特征;不潤濕位置呈現(xiàn)OSP膜層顏色,疑似OSP膜層未被去除。

 

NG PCBA上錫不良波峰焊點外觀檢查照片

圖1. NG PCBA上錫不良波峰焊點外觀檢查照片

 

2. 表面分析

利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡對NG PCBA波峰焊點潤濕不良位置進(jìn)行形貌觀察及成分分析。

潤濕不良位置表面平整,表面無明顯焊錫殘留現(xiàn)象;成分分析顯示,潤濕不良位置未發(fā)現(xiàn)明顯異常元素存在;Cl元素推測來自未去除OSP膜層成分,后續(xù)通過其他分析手段進(jìn)一步確認(rèn)。

 

NG PCBA波峰焊點潤濕不良位置形貌觀察及成分分析

圖2. NG PCBA波峰焊點潤濕不良位置形貌觀察及成分分析

 

3. 剖面分析

將潤濕不良位置切片、FIB切割后,利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡、FIB對截面形貌進(jìn)行觀察分析,結(jié)果如下。

潤濕不良位置1無明顯焊錫殘留,形貌放大后,局部疑似OSP膜層殘留;潤濕不良位置2 FIB切割后,明顯發(fā)現(xiàn)OSP膜層殘留現(xiàn)象。

 

NG PCBA波峰焊點潤濕不良位置切片、FIB切割后截面形貌觀察照片

圖3. NG PCBA波峰焊點潤濕不良位置切片、FIB切割后截面形貌觀察照片

 

4. OSP膜層成分分析

為了表征OSP有機(jī)膜受熱分解程度及對比NG批次PCB光板(命名為樣品A)與對比PCB光板(命名為樣品B)OSP膜層成分是否存在差異,借助FT-IR及XPS分析手段分別對NG批次PCB光板、對比PCB光板、二次回流NG批次PCB光板(命名為樣品C)OSP膜層成分進(jìn)行分析,結(jié)果如下。

 

4.1 FT-IR分析

如圖4所示,紅外光譜分析結(jié)果顯示:

①樣品A OSP膜紅外光譜信息弱,相較于樣品B OSP膜紅外光譜信息弱,表明樣品A OSP膜厚度可能較薄;

②樣品C OSP膜紅外光譜中出現(xiàn)了新的N-H官能團(tuán),表明OSP膜經(jīng)過二次回流可能發(fā)生了結(jié)構(gòu)變化。

 

OSP膜層紅外譜圖

圖4. OSP膜層紅外譜圖

 

4.2 XPS分析

XPS分析結(jié)果顯示:

①三個樣品孔環(huán)OSP膜表面主要測到 C/O/N/Cl/Cu/Si 等元素,樣品C表面也測到少量的Sn;

②三個樣品表面的Si主要判定為有機(jī)硅、N為有機(jī)氮、Cl的化學(xué)態(tài)包含有機(jī)氯和氯化銅;其中A和B樣品表面的成分比較接近:有機(jī)物有芳香環(huán)結(jié)構(gòu)(π-π),銅主要為氯化亞銅(CuCl);而樣品C表面未測到明顯的芳香環(huán)結(jié)構(gòu),且有機(jī)物酯類比較明顯,銅主要為氫氧化銅【Cu(OH)2】和氯化亞銅(CuCl)的混合;

③樣品C表面測到的Sn主要為氧化錫。

 

XPS分析譜圖

圖5. XPS分析譜圖

 

5. OSP膜厚測試

利用FIB對樣品A、樣品B及樣品C OSP膜層分別進(jìn)行觀察及厚度測量,結(jié)果如下:

①樣品A與樣品B OSP膜層形貌無明顯差異,但厚度差異明顯;

② 樣品A與樣品C OSP膜層形貌存在明顯差異,樣品C膜層內(nèi)部彌散分布較多顆粒狀物質(zhì),而樣品A膜層未觀察到該現(xiàn)象;樣品A、樣品C膜層厚度較樣品B膜層厚度,明顯偏小。

 

FIB切割后OSP膜層觀察及膜層厚度測量結(jié)果

圖6. FIB切割后OSP膜層觀察及膜層厚度測量結(jié)果

 

6. 上錫性驗證

為了確認(rèn)二次回流NG批次PCB光板確實存在上錫不良現(xiàn)象及降低爐溫后上錫性變正常,對二次回流NG批次PCB光板及降低爐溫后二次回流NG批次PCB光板分別進(jìn)行上錫性驗證。

(備注:降低爐溫后回流曲線滿足標(biāo)準(zhǔn)IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求。)

二次回流NG批次PCB光板浸錫后,多數(shù)通孔孔環(huán)表面發(fā)現(xiàn)明顯潤濕不良現(xiàn)象,而降低爐溫后二次回流NG批次PCB光板浸錫后,通孔孔環(huán)潤濕完好。

以上結(jié)果表明:當(dāng)爐溫調(diào)低到標(biāo)準(zhǔn)IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求的范圍內(nèi)時,NG批次PCB光板上錫正常,即NG批次PCB光板可焊性滿足標(biāo)準(zhǔn)要求;初始爐溫曲線峰值溫度最高245.3℃,位于標(biāo)準(zhǔn)IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求的上限。

 

降低爐溫后的二次回流爐溫

圖7. 降低爐溫后的二次回流爐溫

 

初始爐溫下二次回流爐溫

圖8. 初始爐溫下二次回流爐溫

 

二次回流NG批次PCB光板浸錫后外觀照片

圖9. 二次回流NG批次PCB光板浸錫后外觀照片

 

降低爐溫后二次回流NG批次PCB光板浸錫后外觀照片

圖10. 降低爐溫后二次回流NG批次PCB光板浸錫后外觀照片

 

7. 錫樣成分測試

參考標(biāo)準(zhǔn)JIS Z3910:2017 釬料分析方法,利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀對錫樣進(jìn)行成分分析,結(jié)果如下:

錫樣為錫銀銅合金。對于波峰焊接錫爐成分,行業(yè)一般采用錫銅合金,以避免通孔孔銅被過度咬蝕,建議錫爐采用錫銅合金,但本案件中錫爐成分不是導(dǎo)致OSP上錫不良的原因。

 

三、總結(jié)分析

 

外觀檢查結(jié)果顯示:NG PCBA多數(shù)波峰焊點孔環(huán)表面存在明顯上錫不良現(xiàn)象,呈現(xiàn)退潤濕及不潤濕特征;不潤濕位置呈現(xiàn)OSP膜層顏色,疑似OSP膜層未被去除。

 

表面分析及剖面分析結(jié)果顯示:潤濕不良位置未發(fā)現(xiàn)明顯異常元素存在;潤濕不良位置FIB切割后,明顯發(fā)現(xiàn)OSP膜層殘留現(xiàn)象。

 

NG批次PCB光板及二次回流NG批次PCB光板OSP膜層成分分析結(jié)果顯示:①二次回流NG批次PCB光板較NG批次PCB光板,OSP膜紅外光譜中出現(xiàn)了新的N-H官能團(tuán),表明OSP膜經(jīng)過二次回流發(fā)生了結(jié)構(gòu)變化;②NG批次PCB光板,OSP膜層有機(jī)物有芳香環(huán)結(jié)構(gòu)(π-π),銅主要為氯化亞銅(CuCl),而二次回流NG批次PCB光板OSP表面未測到明顯的芳香結(jié)構(gòu),且有機(jī)物酯類比較明顯,銅主要為氫氧化銅和氯化亞銅的混合。二者充分說明,二次回流后,OSP膜層成分發(fā)生了變化。

 

OSP膜層觀察與厚度測量結(jié)果顯示:NG批次PCB光板與二次回流NG批次PCB光板,OSP膜層形貌存在明顯差異,后者膜層內(nèi)部彌散分布較多顆粒狀物質(zhì),而前者膜層未觀察到該現(xiàn)象。

 

上錫性驗證結(jié)果顯示:①二次回流NG批次PCB光板浸錫后,多數(shù)通孔孔環(huán)表面發(fā)現(xiàn)明顯潤濕不良現(xiàn)象,該結(jié)果表明,二次回流后OSP膜層形貌及成分的變化,確實可以導(dǎo)致上錫不良的發(fā)生;②降低爐溫后的二次回流NG批次PCB光板(回流曲線滿足標(biāo)準(zhǔn)IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求)浸錫后,通孔孔環(huán)潤濕完好,說明NG批次PCB光板可焊性滿足標(biāo)準(zhǔn)要求;③初始爐溫曲線峰值溫度最高245.3℃,位于標(biāo)準(zhǔn)IPC 7530A-2017 群焊工藝溫度曲線指南(再流焊和波峰焊)中無鉛回流溫度要求的上限。

 

對比NG批次PCB光板與對比PCB光板FT-IR、XPS及FIB分析結(jié)果可知:二者膜層成分比較接近:有機(jī)物有芳香環(huán)結(jié)構(gòu)(π-π),銅主要為氯化亞銅(CuCl),但二者膜厚存在明顯差異,前者與后者OSP膜厚平均值分別為225.9nm、585.5nm,即NG批次PCB光板OSP膜厚明顯偏薄,故其相較于對比PCB光板,耐熱能力偏低。

 

四、結(jié)論與建議

 

綜上所述,二次回流后OSP膜上錫不良的原因包括:①相對較高的回流溫度;②OSP膜相對偏薄,耐熱能力相對偏低。

 

改善建議

1. 適當(dāng)降低回流峰值溫度,避免OSP膜層承受較高溫度沖擊;

2. 適當(dāng)增加OSP膜層厚度,提高其耐熱能力。

 

*** 以上內(nèi)容均為原創(chuàng),如需轉(zhuǎn)載,請注明出處 ***

 

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