MOS管組件焊接不良原因分析與改善建議
引言
因結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝缺陷等原因,導(dǎo)致MOS管焊接不良,進(jìn)而導(dǎo)致組件導(dǎo)熱性能不良,影響整體設(shè)備的運(yùn)行,降低產(chǎn)品使用可靠性。本文以MOS管組件焊接不良為例,通過顯微分析、切片分析、成分分析等方法,分析其焊接不良原因,并提出改善建議。
一、案例背景
模塊在汽車空調(diào)箱中工作,調(diào)速模塊突然提前溫?,F(xiàn)象(模塊未達(dá)到技術(shù)要求溫度時就提前停止工作),導(dǎo)致鼓風(fēng)機(jī)無法工作。經(jīng)過初步分析,MOS管組件內(nèi)部焊接不良影響 MOS管與銅板熱傳遞,使 MOS管工作時的熱量不能有效的傳遞到銅板上。現(xiàn)進(jìn)行測試分析,查找其焊接不良原因。
二、分析過程
1. 外觀檢查
對失效組件及正常組件焊點(diǎn)外觀進(jìn)行光學(xué)檢查。失效組件及正常組件焊點(diǎn)潤濕完好,器件側(cè)及銅板側(cè)未見明顯潤濕不良現(xiàn)象。失效組件MOS管外側(cè)發(fā)現(xiàn)明顯溢錫現(xiàn)象,正常組件未見異?,F(xiàn)象。
圖1. 失效組件及正常組件焊點(diǎn)外觀檢查照片
2. 剖面分析+顯微分析+成分分析
為了確認(rèn)焊點(diǎn)內(nèi)部焊接是否存在不良,對失效組件及正常組件焊點(diǎn)切片后,利用SEM+EDS對切片后截面進(jìn)行觀察分析,結(jié)果如下:
NG組件:如焊接區(qū)域存在大面積的空洞,空洞所占比例大于50%。焊接界面兩側(cè)金屬間化合物IMC生成連續(xù),器件側(cè)及銅板側(cè)均未發(fā)現(xiàn)潤濕不良現(xiàn)象,排除界面潤濕不良對焊點(diǎn)成型不良的影響;
圖2. NG組件焊點(diǎn)切片后截面SEM圖片及EDS能譜圖
OK組件:焊接區(qū)域局部同樣存在空洞,但空洞面積較失效組件大幅減小。焊接界面金屬間化合物IMC生成連續(xù),界面無潤濕不良現(xiàn)象。
圖3. OK組件焊點(diǎn)切片后截面SEM圖片及EDS能譜圖
3. 剝離分析+顯微分析+成分分析
為了觀察失效組件焊點(diǎn)內(nèi)部狀況,將失效組件焊點(diǎn)機(jī)械剝離后,利用SEM+EDS對剝離界面進(jìn)行分析。
失效組件器件剝離后,界面大面積無明顯焊錫殘留,結(jié)果與剖面分析結(jié)果完全一致。無焊錫殘留區(qū)域除發(fā)現(xiàn)大量助焊劑殘留外,未發(fā)現(xiàn)異常元素存在。
以上結(jié)果表明,組件焊點(diǎn)不良原因排除異物影響,主要與焊點(diǎn)內(nèi)部助焊劑無法及時排出有關(guān)。
圖4. NG組件焊點(diǎn)剝離后界面SEM圖片及EDS能譜圖
三、總結(jié)分析
外觀檢查發(fā)現(xiàn),失效組件及正常組件焊點(diǎn)潤濕完好,器件側(cè)及銅板側(cè)未見明顯潤濕不良。失效組件MOS管外側(cè)發(fā)現(xiàn)明顯溢錫現(xiàn)象,正常組件未見溢錫現(xiàn)象。
剖面分析結(jié)果顯示,失效組件焊接區(qū)域空洞率高于50%,焊接界面金屬間化合物IMC生成連續(xù),器件側(cè)及銅板側(cè)均未發(fā)現(xiàn)潤濕不良現(xiàn)象,排除界面潤濕不良對焊接成型不良的影響;正常組件空洞率則明顯降低。焊接空洞不利于熱量的傳遞,故導(dǎo)致晶元結(jié)溫升高,導(dǎo)致溫度保護(hù)啟動。
為了觀察焊點(diǎn)內(nèi)部狀況,對失效組件焊點(diǎn)進(jìn)行剝離觀察,結(jié)果顯示:失效焊點(diǎn)剝離界面發(fā)現(xiàn)大面積無焊錫殘留現(xiàn)象,即空洞區(qū)域。無焊錫殘留區(qū)域發(fā)現(xiàn)大量助焊劑殘留。正常情況下,焊接過程中助焊劑會氣化揮發(fā),如果焊接過程不利于氣體溢出,那么在焊接區(qū)域就會形成大面積孔洞,甚至將焊錫擠出。
本案屬于典型的大焊盤焊接工藝問題,與物料本身工藝適應(yīng)性無關(guān)。
四、結(jié)論與建議
組件導(dǎo)熱性能不良的原因為窄間隙焊接過程中,助焊劑揮發(fā)產(chǎn)生氣體無法及時排出,導(dǎo)致熔融焊錫被氣體吹出焊點(diǎn)而形成大面積空洞缺陷,最終影響傳熱效率。此失效為工藝不良所致。
改善建議
窄間隙焊接,建議采用預(yù)置焊片焊接工藝或真空焊接工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)貼片回流焊工藝;優(yōu)化鋼網(wǎng)開孔方式可以在一定程度上降低空洞率。
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