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先進材料表征方法

 

X射線能譜分析(EDS) 聚焦離子束分析(FIB) 俄歇電子能譜分析(AES) X射線光電子能譜分析(XPS)
動態(tài)二次離子質(zhì)譜分析(D-SIMS) 飛行時間二次離子質(zhì)譜分析(TOF-SIMS)

 

表面元素分析

 

1. X射線光電子能譜技術(shù)

X射線光電子能譜技術(shù)(X-ray photoelectron spectroscopy,簡稱XPS)是一種表面分析方法, 使用X射線去輻射樣品,使原子或分子的內(nèi)層電子或價電子受激發(fā)射出來,被光子激發(fā)出來的電子稱為光電子,可以測量光電子的能量和數(shù)量,從而獲得待測物組成。XPS主要應(yīng)用是測定電子的結(jié)合能來鑒定樣品表面的化學(xué)性質(zhì)及組成的分析,其特點在光電子來自表面10nm以內(nèi),僅帶出表面的化學(xué)信息,具有分析區(qū)域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點,廣泛應(yīng)用于金屬、無機材料、催化劑、聚合物、涂層材料礦石等各種材料的研究,以及腐蝕、摩擦、潤滑、粘接、催化、包覆、氧化等過程的研究。

 

2. X射線光電子能譜分析(XPS)可為客戶解決的產(chǎn)品質(zhì)量問題

(1)當(dāng)產(chǎn)品表面存在微小的異物,而常規(guī)的成分測試方法無法準(zhǔn)確對異物進行定性定量分析,可選擇XPS進行分析,XPS能分析≥10μm直徑的異物成分以及元素價態(tài),從而確定異物的化學(xué)態(tài),對失效機理研究提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)。

(2)當(dāng)產(chǎn)品表面膜層太薄,無法使用常規(guī)測試進行厚度測量,可選擇XPS進行分析,利用XPS的深度濺射功能測試≥20nm膜厚厚度。

(3)當(dāng)產(chǎn)品表面有多層薄膜,需測量各層膜厚及成分,利用D-SIMS能準(zhǔn)確測定各層薄膜厚度及組成成分。

(4)當(dāng)產(chǎn)品的表面存在同種元素多種價態(tài)的物質(zhì),常規(guī)測試方法不能區(qū)分元素各種價態(tài)所含的比例,可考慮XPS價態(tài)分析,分析出元素各種價態(tài)所含的比例。

 

3. X射線光電子能譜分析(XPS)注意事項

(1)樣品最大規(guī)格尺寸為1×1×0.5cm,當(dāng)樣品尺寸過大需切割取樣。

(2)取樣的時候避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置,取下樣品后使用真空包裝或其他能隔離外界環(huán)境的包裝, 避免外來污染影響分析結(jié)果。

(3)XPS測試的樣品可噴薄金(不大于1nm),可以測試弱導(dǎo)電性的樣品,但絕緣的樣品不能測試。

(4)XPS元素分析范圍Li-U,只能測試無機物質(zhì),不能測試有機物物質(zhì),檢出限0.1%。

 

4.應(yīng)用實例

樣品信息:客戶端發(fā)現(xiàn)PCB板上金片表面被污染,對污染區(qū)域進行分析,確定污染物類型。

測試結(jié)果譜圖:

 

X射線光電子能譜分析 X射線光電子能譜分析

 

結(jié)論:表面直接分析發(fā)現(xiàn)腐蝕性元素S,往心部濺射10nm深度后未發(fā)現(xiàn)S,說明表面污染物為含硫類物質(zhì)。

 

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