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先進(jìn)材料表征方法

 

X射線能譜分析(EDS) 聚焦離子束分析(FIB) 俄歇電子能譜分析(AES) X射線光電子能譜分析(XPS)
動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜分析(D-SIMS) 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析(TOF-SIMS)

 

表面元素分析

 

1. 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),通過(guò)用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子,根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測(cè)器的時(shí)間不同來(lái)測(cè)定離子質(zhì)量,具有極高分辨率的測(cè)量技術(shù)??梢詮V泛應(yīng)用于物理,化學(xué),微電子,生物,制藥,空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面,薄膜,界面以至于三維樣品的元素、分子等結(jié)構(gòu)信息,其特點(diǎn)在二次離子來(lái)自表面單個(gè)原子層分子層(1nm以內(nèi)),僅帶出表面的化學(xué)信息,具有分析區(qū)域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于物理,化學(xué),微電子,生物,制藥,空間分析等工業(yè)和研究方面。

 

2. 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析(TOF-SIMS)可為客戶解決的產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題

(1)當(dāng)產(chǎn)品表面存在微小的異物,而常規(guī)的成分測(cè)試方法無(wú)法準(zhǔn)確對(duì)異物進(jìn)行定性定量分析,可選擇TOF-SIMS進(jìn)行分析,TOF-SIMS能分析≥10μm直徑的異物成分。

(2)當(dāng)產(chǎn)品表面膜層太薄,無(wú)法使用常規(guī)測(cè)試進(jìn)行成分分析,可選擇TOF-SIMS進(jìn)行分析,利用TOF-SIMS可定性分析膜層的成分。

(3)當(dāng)產(chǎn)品表面出現(xiàn)異物,但是未能確定異物的種類,利用TOF-SIMS成分分析,不僅可以分析出異物所含元素,還可以分析出異物的分子式,包括有機(jī)物分子式。

(4)當(dāng)膜層與基材截面出現(xiàn)分層等問(wèn)題,但是未能觀察到明顯的異物痕跡,可使用TOF-SIMS分析表面痕量物質(zhì)成分,以確定截面是否存在外來(lái)污染,檢出限高達(dá)ppm級(jí)別。

 

3. 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析(TOF-SIMS)注意事項(xiàng)

(1)樣品最大規(guī)格尺寸為1×1×0.5cm,當(dāng)樣品尺寸過(guò)大需切割取樣。

(2)取樣的時(shí)候避免手和取樣工具接觸到需要測(cè)試的位置,取下樣品后使用真空包裝或其他能隔離外界環(huán)境的包裝, 避免外來(lái)污染影響分析結(jié)果。

(3)TOF-SIMS測(cè)試的樣品不受導(dǎo)電性的限制,絕緣的樣品也可以測(cè)試。

(4)TOF-SIMS元素分析范圍H-U,包含有機(jī)無(wú)機(jī)材料的元素及分子態(tài),檢出限ppm級(jí)別。

 

4.應(yīng)用實(shí)例

樣品信息:銅箔表面覆蓋有機(jī)物鈍化膜,達(dá)到保護(hù)銅箔目的,客戶端需要分析分析苯并咪唑與銅表面結(jié)合方式 。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析

 

結(jié)論:正負(fù)離子譜均出現(xiàn)415和416質(zhì)量數(shù)的分子離子峰, 苯并咪唑(代號(hào)P2)分子量為175,推斷結(jié)合方式為P2-Cu-P2。

 

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